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4100850IDV08E65D2XKSA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IDV08E65D2XKSA1

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100+
$1.259
500+
$1.034
1000+
$0.857
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IDV08E65D2XKSA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IDV08E65D2XKSA1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.3V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    650V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220-2
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    40ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Andere Namen
    SP000994148
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    52 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 650V 8A Through Hole TO-220-2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    40µA @ 650V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "IDV08E65D2XKSA1" -Einziper.
IDV15E65D2XKSA1

IDV15E65D2XKSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDV30E60C

IDV30E60C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 21A TO22FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
TVR10G-5701E3/73

TVR10G-5701E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4586GPHE3/54

1N4586GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5397G R0G

1N5397G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DHR7G

ES3DHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DL4001

DL4001

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A MELF

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
IDV20E65D1XKSA1

IDV20E65D1XKSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V 28A TO220-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDV03S60CXKSA1

IDV03S60CXKSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDV05S60CXKSA1

IDV05S60CXKSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDV30E65D2XKSA1

IDV30E65D2XKSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IDV06S60CXKSA1

IDV06S60CXKSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
PMEG4010CEGWX

PMEG4010CEGWX

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IDV02S60CXKSA1

IDV02S60CXKSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO220-2FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FR30J02

FR30J02

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5832R

1N5832R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
IDV04S60CXKSA1

IDV04S60CXKSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
UPR5E3/TR13

UPR5E3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2.5A DO216

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
CTS521,L3F

CTS521,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
GP02-20-E3/53

GP02-20-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 250MA DO204

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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