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6212363IPB009N03LGATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB009N03LGATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB009N03LGATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-7-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.95 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    250W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Andere Namen
    IPB009N03L G
    IPB009N03L G-ND
    IPB009N03L GTR
    IPB009N03L GTR-ND
    IPB009N03LG
    IPB009N03LGATMA1TR
    SP000394657
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    25000pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    227nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    180A (Tc)
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB015N04NGATMA1

IPB015N04NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB010N06NATMA1

IPB010N06NATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB015N04LGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB020N10N5ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB014N06NATMA1

IPB014N06NATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB011N04LGATMA1

IPB011N04LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

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IPB017N10N5ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

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