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2238123IPB042N03LGATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB042N03LGATMA1

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$1.731
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB042N03LGATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    79W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB042N03LGATMA1CT
    IPB042N03LGINCT
    IPB042N03LGINCT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3900pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    70A (Tc)
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB037N06N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB048N15N5ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB039N10N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB038N12N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

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IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

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IPB041N04NGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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