International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB048N15N5LFATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB048N15N5LFATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB048N15N5LFATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 255µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

313W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB048N15N5LFATMA1CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 120A 313W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A

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Das Folgende sind "IPB048N15N5LFATMA1" -Einziper.

IPB042N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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