Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB052N04NGATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3216417IPB052N04NGATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB052N04NGATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB052N04NGATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB052N04NGATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 33µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 70A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    79W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB052N04N G
    IPB052N04N G-ND
    IPB052N04N GTR-ND
    IPB052N04NGATMA1TR
    SP000391505
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3300pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    70A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "IPB052N04NGATMA1" -Einziper.
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB05N03LA

IPB05N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB05N03LAT

IPB05N03LAT

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB05N03LB

IPB05N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB055N03LGATMA1

IPB055N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB04N03LB G

IPB04N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB057N06NATMA1

IPB057N06NATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB054N06N3GATMA1

IPB054N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB04N03LAT

IPB04N03LAT

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB054N08N3GATMA1

IPB054N08N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB05CN10N G

IPB05CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB04N03LB

IPB04N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB050N06NGATMA1

IPB050N06NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.