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IPB083N15N5LFATMA1-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB083N15N5LFATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB083N15N5LFATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB083N15N5LFATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.9V @ 134µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

179W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB083N15N5LFATMA1CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 105A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

105A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB083N15N5LFATMA1" -Einziper.

IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB070N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB085N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Beschreibung: MV POWER MOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB08CNE8N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB06N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB080N06N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB097N08N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB09N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB09N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB08CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB09N03LAT

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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