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6548583IPB093N04LGATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB093N04LGATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB093N04LGATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 16µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.3 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    47W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB093N04L G
    IPB093N04L G-ND
    IPB093N04L GTR-ND
    IPB093N04LGATMA1TR
    SP000387937
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Tc)
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N04S303ATMA1

IPB100N04S303ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

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IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

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IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

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