Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB107N20N3GATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5321947IPB107N20N3GATMA1-Bild.Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

IPB107N20N3GATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1000+
$4.015
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB107N20N3GATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.7 mOhm @ 88A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB107N20N3 G
    IPB107N20N3 G-ND
    IPB107N20N3 GTR
    IPB107N20N3 GTR-ND
    IPB107N20N3G
    IPB107N20N3GATMA1TR
    SP000676406
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7100pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    87nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    88A (Tc)
IPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N06S2L05ATMA2

IPB100N06S2L05ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N06S3-04

IPB100N06S3-04

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden