Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB110N20N3LFATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3055112IPB110N20N3LFATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB110N20N3LFATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1000+
$4.546
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB110N20N3LFATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 200 D2PAK-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB110N20N3LFATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.2V @ 260µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3
  • Serie
    OptiMOS™ 3
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 88A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    250W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB110N20N3LFATMA1-ND
    IPB110N20N3LFATMA1TR
    SP001503864
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    650pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 200V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    88A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "IPB110N20N3LFATMA1" -Einziper.
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N04S404ATMA1

IPB120N04S404ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N04S4L02ATMA1

IPB120N04S4L02ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Hersteller: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.