Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB240N03S4LR8ATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3018785IPB240N03S4LR8ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB240N03S4LR8ATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1000+
$2.06
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB240N03S4LR8ATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH TO263-7
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 230µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-7-3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.76 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Andere Namen
    SP000952928
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    26000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    380nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    240A (Tc)
IPB34CN10NGATMA1

IPB34CN10NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB240N04S4R9ATMA1

IPB240N04S4R9ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB26CN10NGATMA1

IPB26CN10NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB26CNE8N G

IPB26CNE8N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB200N15N3GATMA1

IPB200N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden