International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180P04P4L02ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB180P04P4L02ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB180P04P4L02ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 410µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-7-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

150W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Andere Namen

IPB180P04P4L02ATMA1TR
SP000709460
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

286nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB180P04P4L02ATMA1" -Einziper.

IPB180N10S403ATMA1

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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