International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB35N10S3L26ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB35N10S3L26ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB35N10S3L26ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 39µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.3 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)

71W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SP000776044
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB35N10S3L26ATMA1" -Einziper.

IPB45N04S4L08ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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