International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB47N10S33ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB47N10S33ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB47N10S33ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 2mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3-2
Serie

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max)

175W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB47N10S-33
IPB47N10S-33-ND
IPB47N10S-33TR
IPB47N10S-33TR-ND
IPB47N10S33
IPB47N10S33ATMA1TR
SP000225702
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

47A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB47N10S33ATMA1" -Einziper.

IPB50R140CPATMA1

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB47N10S33ATMA1

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