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5770132IPB60R120C7ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R120C7ATMA1

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  • Artikelnummer
    IPB60R120C7ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB60R120C7ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 390µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3
  • Serie
    CoolMOS™ C7
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    92W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Andere Namen
    IPB60R120C7ATMA1-ND
    IPB60R120C7ATMA1TR
    SP001385048
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1500pF @ 400V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    650V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 650V 19A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    19A (Tc)

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IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R060P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R165CPATMA1

IPB60R165CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R060C7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R040C7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R190C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R080P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB60R190P6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB60R160C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB60R125C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R099C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R160P6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPB600N25N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

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IPB60R099C7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R120P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

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