Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB60R190C6ATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6442807IPB60R190C6ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R190C6ATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1000+
$1.70
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB60R190C6ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB60R190C6ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 630µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    151W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB60R190C6
    IPB60R190C6ATMA1TR
    IPB60R190C6INTR
    IPB60R190C6INTR-ND
    SP000641916
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    20.2A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "IPB60R190C6ATMA1" -Einziper.
IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R199CPAATMA1

IPB60R199CPAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R180P7ATMA1

IPB60R180P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R299CPATMA1

IPB60R299CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R280P7ATMA1

IPB60R280P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R190P6ATMA1

IPB60R190P6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R230P6ATMA1

IPB60R230P6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R165CPATMA1

IPB60R165CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R280P6ATMA1

IPB60R280P6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R250CPATMA1

IPB60R250CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R299CPAATMA1

IPB60R299CPAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R280C6ATMA1

IPB60R280C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.