International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R280P6ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB60R280P6ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB60R280P6ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 430µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

CoolMOS™ P6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 5.2A, 10V
Verlustleistung (max)

104W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SP001364468
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.8A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB60R280P6ATMA1" -Einziper.

IPB60R199CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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