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5400506IPB60R950C6ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R950C6ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB60R950C6ATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 130µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    950 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    37W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB60R950C6ATMA1CT
    IPB60R950C6CT
    IPB60R950C6CT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.4A (Tc)
IPB60R380P6ATMA1

IPB60R380P6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB60R380C6ATMA1

IPB60R380C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R600C6ATMA1

IPB60R600C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB60R600CPATMA1

IPB60R600CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R110CFDATMA1

IPB65R110CFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB60R330P6ATMA1

IPB60R330P6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB65R099C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 38A TO263

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IPB60R299CPATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB65R045C7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

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IPB60R600P6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB65R095C7ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB65R045C7ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

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IPB60R360P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET TO263-3

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IPB65R095C7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB65R065C7ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB65R110CFDAATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

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IPB64N25S320ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

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IPB60R385CPATMA1

IPB60R385CPATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263

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IPB60R520CPATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263

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IPB65R065C7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

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