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2199362IPB65R065C7ATMA2-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R065C7ATMA2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB65R065C7ATMA2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3
  • Serie
    CoolMOS™ C7
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 17.1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    171W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB65R065C7ATMA2DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3020pF @ 400V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    650V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 650V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    33A (Tc)
IPB60R600C6ATMA1

IPB60R600C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R065C7ATMA1

IPB65R065C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R125C7ATMA1

IPB65R125C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB60R600P6ATMA1

IPB60R600P6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R125C7ATMA2

IPB65R125C7ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB60R600CPATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB60R385CPATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R150CFDAATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R045C7ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB64N25S320ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R045C7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R150CFDATMA1

IPB65R150CFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB65R190C6ATMA1

IPB65R190C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB60R950C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB65R095C7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB65R095C7ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB65R099C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 38A TO263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB60R520CPATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB65R110CFDATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263

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