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4802030IPB80N06S205ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S205ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB80N06S205ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPB80N06S205ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 80A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB80N06S2-05
    IPB80N06S2-05-ND
    IPB80N06S205ATMA1TR
    SP000218877
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5110pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    170nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    80A (Tc)

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IPB80N06S2L-H5

IPB80N06S2L-H5

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N04S304ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N04S303ATMA1

IPB80N04S303ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N04S4L04ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

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RFQ
IPB80N06S2L05ATMA1

IPB80N06S2L05ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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RFQ
IPB80N04S2H4ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N04S404ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

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RFQ
IPB80N06S209ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N04S2L03ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB80N04S3H4ATMA1

IPB80N04S3H4ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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IPB80N04S306ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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IPB80N06S207ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S208ATMA1

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