Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB80N06S2H5ATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5591268IPB80N06S2H5ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S2H5ATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB80N06S2H5ATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 230µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 80A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    IPB80N06S2-H5
    IPB80N06S2-H5-ND
    IPB80N06S2H5ATMA1TR
    SP000218162
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    80A (Tc)
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N04S404ATMA1

IPB80N04S404ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2L06ATMA1

IPB80N06S2L06ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N04S4L04ATMA1

IPB80N04S4L04ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2L09ATMA1

IPB80N06S2L09ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2L05ATMA1

IPB80N06S2L05ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2L-H5

IPB80N06S2L-H5

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2L11ATMA1

IPB80N06S2L11ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB80N06S2L07ATMA3

IPB80N06S2L07ATMA3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden