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5298746IPD068P03L3GBTMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD068P03L3GBTMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD068P03L3GBTMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD068P03L3GBTMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.8 mOhm @ 70A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    100W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD068P03L3 G
    IPD068P03L3 G-ND
    IPD068P03L3 GTR-ND
    IPD068P03L3G
    IPD068P03L3GBTMA1TR
    SP000472988
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7720pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    91nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    70A (Tc)

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IPD088N06N3GBTMA1

IPD088N06N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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vorrätig
RFQ
IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 90A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD05N03LA G

IPD05N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

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vorrätig
RFQ
IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

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vorrätig
RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

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vorrätig
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IPD082N10N3GBTMA1

IPD082N10N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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vorrätig
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IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD053N08N3GBTMA1

IPD053N08N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

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IPD068N10N3GBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

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IPD060N03LGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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IPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

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IPD090N03LGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

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IPD05N03LB G

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