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IPD079N06L3GBTMA1-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD079N06L3GBTMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD079N06L3GBTMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD079N06L3GBTMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 34µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

79W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD079N06L3 G
IPD079N06L3 G-ND
IPD079N06L3 GTR-ND
IPD079N06L3G
IPD079N06L3GBTMA1TR
SP000453626
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD079N06L3GBTMA1" -Einziper.

IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 90A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD090N03LGBTMA1

IPD090N03LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD06N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 73A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD09N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD082N10N3GBTMA1

IPD082N10N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD06N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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IPD09N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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IPD088N06N3GBTMA1

IPD088N06N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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