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4524271IPD30N06S2L23ATMA3-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N06S2L23ATMA3

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  • Artikelnummer
    IPD30N06S2L23ATMA3
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD30N06S2L23ATMA3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3-11
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 22A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    100W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD30N06S2L23ATMA3-ND
    IPD30N06S2L23ATMA3TR
    SP001061286
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1091pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 55V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    30A (Tc)

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IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD30N03S4L09ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_100+

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD30N08S2L21ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD33CN10NGBUMA1

IPD33CN10NGBUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

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IPD320N20N3GATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 34A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD30N06S4L23ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

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IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

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vorrätig
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IPD30N06S4L23ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD30N10S3L34ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD30N06S2L13ATMA4

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD30N06S223ATMA2

IPD30N06S223ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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IPD33CN10NGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

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IPD30N03S2L20ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

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IPD30N06S2-15

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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IPD30N06S223ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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IPD30N06S215ATMA2

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