International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N10S3L34ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD30N10S3L34ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD30N10S3L34ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 29µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

57W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD30N10S3L-34DKR
IPD30N10S3L-34DKR-ND
IPD30N10S3L34ATMA1DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1976pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD30N10S3L34ATMA1" -Einziper.

IPD30N06S4L23ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD30N10S3L34ATMA1

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