International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD35N10S3L26ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD35N10S3L26ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD35N10S3L26ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 39µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3-11
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)

71W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD35N10S3L-26
IPD35N10S3L-26-ND
IPD35N10S3L26ATMA1TR
SP000386184
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD35N10S3L26ATMA1" -Einziper.

IPD400N06NGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 27A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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