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2227004IPD50N06S4L08ATMA2-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50N06S4L08ATMA2

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  • Artikelnummer
    IPD50N06S4L08ATMA2
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD50N06S4L08ATMA2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 35µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3-11
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    71W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    SP001028664
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4780pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Tc)

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IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50N06S4L12ATMA2

IPD50N06S4L12ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50N06S214ATMA1

IPD50N06S214ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50N08S413ATMA1

IPD50N08S413ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50N06S4L08ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S409ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD50P04P413ATMA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

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vorrätig
RFQ
IPD50P03P4L11ATMA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD50N04S408ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD50N06S409ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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IPD50N06S4L12ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

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IPD50P04P4L11ATMA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N04S410ATMA1

IPD50N04S410ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

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IPD50N06S214ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

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vorrätig
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IPD50R1K4CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

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IPD50N06S2L13ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N12S3L15ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_100+

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