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5573541IPD50P03P4L11ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50P03P4L11ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD50P03P4L11ATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 85µA
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    58W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD50P03P4L-11INCT
    IPD50P03P4L-11INCT-ND
    IPD50P03P4L11
    IPD50P03P4L11ATMA1CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3770pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Tc)
IPD50N12S3L15ATMA1

IPD50N12S3L15ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_100+

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N06S409ATMA1

IPD50N06S409ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50P04P4L11ATMA1

IPD50P04P4L11ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD50N06S4L12ATMA2

IPD50N06S4L12ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50R280CEATMA1

IPD50R280CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N06S4L12ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD50N06S4L08ATMA1

IPD50N06S4L08ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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IPD50N06S4L08ATMA2

IPD50N06S4L08ATMA2

Beschreibung:

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IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

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IPD50R380CEATMA1

IPD50R380CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

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IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3

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IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

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IPD50R2K0CEBTMA1

IPD50R2K0CEBTMA1

Beschreibung: CONSUMER

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IPD50R280CEAUMA1

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IPD50N08S413ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

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IPD50P04P413ATMA1

IPD50P04P413ATMA1

Beschreibung:

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IPD50N06S409ATMA2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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IPD50R2K0CEAUMA1

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Beschreibung:

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IPD50R280CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

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IPD50R1K4CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

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