International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60N10S4L12ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD60N10S4L12ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 46µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3-313
Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)

94W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD60N10S4L12ATMA1-ND
IPD60N10S4L12ATMA1TR
SP000866550
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD60N10S4L12ATMA1" -Einziper.

IPD600N25N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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