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5005563IPD60R180P7SAUMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R180P7SAUMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD60R180P7SAUMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD60R180P7SAUMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 280µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™ P7
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 5.6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    72W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD60R180P7SAUMA1CT
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1081pF @ 400V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A (Tc)

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IPD60R1K5CEAUMA1

IPD60R1K5CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD5N03LAG

IPD5N03LAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R280P7ATMA1

IPD60R280P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD600N25N3GATMA1

IPD600N25N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 25A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R1K0CEATMA1

IPD60R1K0CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD530N15N3GBTMA1

IPD530N15N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD5N25S3430ATMA1

IPD5N25S3430ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R180C7ATMA1

IPD60R180C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R1K0CEAUMA1

IPD60R1K0CEAUMA1

Beschreibung: CONSUMER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD60R1K5CEATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD60R2K0C6ATMA1

IPD60R2K0C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4C6ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

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RFQ
IPD60R280P7SAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD60R280CFD7ATMA1

IPD60R280CFD7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

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IPD600N25N3GBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

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IPD60R180P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

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