International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD70N04S3-07

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD70N04S3-07
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD70N04S3-07.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 70A, 10V
Verlustleistung (max)

79W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD70N04S3-07-ND
IPD70N04S3-07TR
IPD70N04S307
IPD70N04S307ATMA1
SP000261221
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 82A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

82A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD70N04S3-07" -Einziper.

IPD70N03S4L04ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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