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2657467IPD70N10S312ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD70N10S312ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD70N10S312ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD70N10S312ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.1 mOhm @ 70A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    125W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD70N10S3-12
    IPD70N10S3-12-ND
    IPD70N10S3-12TR
    IPD70N10S3-12TR-ND
    IPD70N10S312
    IPD70N10S312ATMA1TR
    SP000427248
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4355pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    70A (Tc)

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IPD65R650CEATMA1

IPD65R650CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD70P04P409ATMA1

IPD70P04P409ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD70N04S3-07

IPD70N04S3-07

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R950CFDATMA1

IPD65R950CFDATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD70N03S4L04ATMA1

IPD70N03S4L04ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R950C6ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD70N12S3L12ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_100+

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R660CFDBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD70R600CEAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R650CEAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO-252

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vorrätig
RFQ
IPD70N12S311ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD70R1K4CEAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD65R660CFDATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD70N10S3L12ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD70P04P4L08ATMA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD70R2K0CEAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD70R1K4P7SAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD70R360P7SAUMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3

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IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

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vorrätig
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IPD65R950CFDBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

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