Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPD800N06NGBTMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1946575IPD800N06NGBTMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD800N06NGBTMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD800N06NGBTMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 16µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 16A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    47W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD800N06NG
    IPD800N06NGBTMA1CT
    IPD800N06NGINCT
    IPD800N06NGINCT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    370pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 16A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    16A (Tc)
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD70R950CEAUMA1

IPD70R950CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD70R900P7SAUMA1

IPD70R900P7SAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD78CN10NGATMA1

IPD78CN10NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD70R600CEAUMA1

IPD70R600CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD75N04S406ATMA1

IPD75N04S406ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD70R2K0CEAUMA1

IPD70R2K0CEAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden