International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K4P7ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD80R1K4P7ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD80R1K4P7ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 700µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Verlustleistung (max)

32W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD80R1K4P7ATMA1CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD80R1K4P7ATMA1" -Einziper.

IPD80R1K4CEBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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