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1127433IPD80R280P7ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R280P7ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD80R280P7ATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 17A TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPD80R280P7ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 360µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280 mOhm @ 7.2A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    101W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD80R280P7ATMA1TR
    SP001422596
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 500V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Super Junction
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    17A (Tc)

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IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD80R1K0CEATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD80R450P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPD80P03P4L07ATMA1

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80N04S306BATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

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vorrätig
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IPD80R1K0CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

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vorrätig
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IPD80R1K4P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD80N04S306ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD80R2K8CEBTMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD80R2K0P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

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IPD80R4K5P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

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IPD80R3K3P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

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IPD80R600P7ATMA1

IPD80R600P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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IPD80R2K4P7ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

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IPD80R1K4CEATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

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IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

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