International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI120N06S4H1AKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPI120N06S4H1AKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPI120N06S4H1AKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3-1
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Das Folgende sind "IPI120N06S4H1AKSA1" -Einziper.

IPI120N06S403AKSA2

Beschreibung: MOSFET N-CH TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPI120N06S4H1AKSA1

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