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International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI126N10N3 G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPI126N10N3 G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPI126N10N3 G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 46µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6 mOhm @ 46A, 10V
Verlustleistung (max)

94W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

IPI126N10N3 G-ND
IPI126N10N3G
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

58A (Tc)

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Das Folgende sind "IPI126N10N3 G" -Einziper.

IPI120N06S403AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPI126N10N3 G

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