Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPI180N10N3GXKSA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
758520IPI180N10N3GXKSA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI180N10N3GXKSA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
500+
$1.035
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPI180N10N3GXKSA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 33µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO262-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 33A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    71W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Andere Namen
    IPI180N10N3 G
    IPI180N10N3 G-ND
    IPI180N10N3G
    SP000683076
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    43A (Tc)
IPI25N06S3L-22

IPI25N06S3L-22

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI26CNE8N G

IPI26CNE8N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI12CNE8N G

IPI12CNE8N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI25N06S3-25

IPI25N06S3-25

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 25A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI14N03LA

IPI14N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI22N03S4L15AKSA1

IPI22N03S4L15AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI147N12N3GAKSA1

IPI147N12N3GAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI45N06S3-16

IPI45N06S3-16

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 45A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI120P04P404AKSA1

IPI120P04P404AKSA1

Beschreibung: MOSFET P-CH TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI12CN10N G

IPI12CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI126N10N3 G

IPI126N10N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI139N08N3GHKSA1

IPI139N08N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI120P04P4L03AKSA1

IPI120P04P4L03AKSA1

Beschreibung: MOSFET P-CH TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI16CN10N G

IPI16CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI16CNE8N G

IPI16CNE8N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI35CN10N G

IPI35CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI26CN10N G

IPI26CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI320N20N3GAKSA1

IPI320N20N3GAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI200N25N3GAKSA1

IPI200N25N3GAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPI200N15N3 G

IPI200N15N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden