International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6608TR1

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6608TR1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRF6608TR1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ ST
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta), 42W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric ST
Andere Namen

SP001528864
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2120pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Ta), 55A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF6608TR1" -Einziper.

IRF6609TR1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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