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923046

IRF6611TR1-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6611TR1

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF6611TR1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IRF6611TR1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET™ MX
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 27A, 10V
Verlustleistung (max)

3.9W (Ta), 89W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric MX
Andere Namen

IRF6611TR1CT
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4860pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32A (Ta), 150A (Tc)

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6609

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6609TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6612TR1

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IRF6609TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

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IRF6611TR1PBF

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IRF6611TRPBF

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

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IRF6612TRPBF

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6613TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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