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IRF7475TRPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7475TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7475TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7475TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

IRF7475TRPBF-ND
IRF7475TRPBFTR
SP001563520
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1590pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 12V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta)

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IRF7476

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC

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IRF7470TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

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IRF7470PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

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IRF7478TRPBF

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IRF7477PBF

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IRF7477

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

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vorrätig

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