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IRF7478QTRPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7478QTRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7478QTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7478QTRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 4.2A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

IRF7478QTRPBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Ta)

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7490PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7478TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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