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IRF7805ZPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7805ZPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7805ZPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7805ZPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SP001560014
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2080pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Ta)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807ATR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7805PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7799L2TR1PBF

IRF7799L2TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7807D1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7805ZGTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

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