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IRF7807D1TRPBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7807D1TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7807D1TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7807D1TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

IRF7807D1PBFDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.3A (Ta)

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IRF7807VD1TR

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IRF7807ATRPBF

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IRF7807D2

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IRF7807VD1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807TR

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IRF7807D1PBF

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IRF7807PBF

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IRF7807ATR

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IRF7807A

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IRF7807D2TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7807D2PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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vorrätig

IRF7807D2TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807APBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807D1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7807D1TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7805ZTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

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IRF7805ZPBF

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IRF7807

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IRF7807VD1

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