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504921IRF7807D2TRPBF-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7807D2TRPBF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRF7807D2TRPBF
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IRF7807D2TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    FETKY™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    IRF7807D2PBFTR
    IRF7807D2TRPBF-ND
    IRF7807D2TRPBFTR-ND
    SP001565600
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Schottky Diode (Isolated)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8.3A (Ta)

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vorrätig
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vorrätig
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IRF7807VD2PBF

IRF7807VD2PBF

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IRF7807VD2

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vorrätig
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IRF7807TRPBF

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IRF7807TR

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IRF7807D1PBF

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IRF7807ATR

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IRF7807VD1TR

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IRF7807D1TRPBF

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IRF7807D2TR

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IRF7807APBF

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IRF7807D2PBF

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IRF7807PBF

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IRF7807ATRPBF

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