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IRF8852TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF8852TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF8852TRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.3 mOhm @ 7.8A, 10V
Leistung - max

1W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen

IRF8852TRPBFDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1151pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7.8A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.8A
Basisteilenummer

IRF8852PBF

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Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO

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