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2017292

IRF9310PBF-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF9310PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF9310PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF9310PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SP001566550
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5250pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 20A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Tc)

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IRF9317PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 16A 8-SO

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

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