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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM9331TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFHM9331TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFHM9331TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PQFN (3x3)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 11A, 20V
Verlustleistung (max)

2.8W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

IRFHM9331TRPBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1543pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 11A (Ta), 24A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount PQFN (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta), 24A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFHM9331TRPBF" -Einziper.

IRFHS8342TR2PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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