International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHS8342TR2PBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFHS8342TR2PBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFHS8342TR2PBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-PQFN (2x2)
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-PowerVDFN
Andere Namen

IRFHS8342TR2PBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.8A (Ta), 19A (Tc)

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "IRFHS8342TR2PBF" -Einziper.

IRFI1010NPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRFHS8342TR2PBF

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