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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1SR139-400T-32
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3045881SR139-400T-32-Bild.LAPIS Semiconductor

1SR139-400T-32

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SR139-400T-32
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A MSR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SR139-400T-32.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    MSR
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-41 Mini, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Through Hole MSR
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "1SR139-400T-32" -Einziper.
1SR124-400AT-82

1SR124-400AT-82

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR153-400T-31

1SR153-400T-31

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MMSD103T1G

MMSD103T1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR139-600T-32

1SR139-600T-32

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A MSR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SS35HR7G

SS35HR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SR154-400TE25A

1SR154-400TE25A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR124-400AT-81

1SR124-400AT-81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR139-600T-31

1SR139-600T-31

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR154-600TE25

1SR154-600TE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES3A V7G

ES3A V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAT64E6327HTSA1

BAT64E6327HTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
1SRED

1SRED

Beschreibung: CAP PUSHBUTTON SQUARE RED

Hersteller: E-Switch
vorrätig
RFQ
RGP10GHM3/73

RGP10GHM3/73

Beschreibung: DIODE SW 1A 400V 150NS DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1SR139-400T-31

1SR139-400T-31

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
AU01AV

AU01AV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 500MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
1SR153-400T-32

1SR153-400T-32

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A MSR

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
RFQ
CD214B-B340R

CD214B-B340R

Beschreibung: DIO SBD VRRM 40V 3A SMB

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
1SR154-400TE25

1SR154-400TE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR159-200TE25

1SR159-200TE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR156-400TE25

1SR156-400TE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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