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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1SR153-400T-31
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31924321SR153-400T-31-Bild.LAPIS Semiconductor

1SR153-400T-31

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SR153-400T-31
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SR153-400T-31.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 800mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    MSR
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    400ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-41 Mini, Axial
  • Andere Namen
    1SR153400T31
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Through Hole MSR
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1SR153-400

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Das Folgende sind "1SR153-400T-31" -Einziper.
1N4006GPE-M3/54

1N4006GPE-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-1N3881R

VS-1N3881R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1SR159-200TE25

1SR159-200TE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRKE56/12A

IRKE56/12A

Beschreibung: DIODE GP 1.2KV 60A ADD-A-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1SR139-400T-32

1SR139-400T-32

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A MSR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR154-400TE25A

1SR154-400TE25A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
PR6003-T

PR6003-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1SR153-400T-32

1SR153-400T-32

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A MSR

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR154-600TE25

1SR154-600TE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SRED

1SRED

Beschreibung: CAP PUSHBUTTON SQUARE RED

Hersteller: E-Switch
vorrätig
RFQ
SB040-E3/73

SB040-E3/73

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 600MA MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1SR124-400AT-81

1SR124-400AT-81

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR139-600T-31

1SR139-600T-31

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR154-400TE25

1SR154-400TE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR139-400T-31

1SR139-400T-31

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR156-400TE25

1SR156-400TE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR124-400AT-82

1SR124-400AT-82

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SR139-600T-32

1SR139-600T-32

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A MSR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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